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Technische Daten; Allgemeine Daten - Siemens SIRIUS 3RF34 Gerätehandbuch

Halbleiterschaltgeräte
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Technische Daten

12.1

Allgemeine Daten

Tabelle 12- 1 Halbleiterschaltgeräte - Allgemeine Daten
Allgemeine Daten
Umgebungstemperatur
bei Betrieb, Derating ab 40 °C
bei Lagerung
Aufstellungshöhe
Schockfestigkeit nach DIN IEC 60068-2-27
Schwingfestigkeit nach DIN IEC 60068-2-6
Schutzart
Elektromagnetische Verträglichkeit (EMV)
Störaussendung nach DIN IEC 60947-4-2
-
leitungsgebundene Störspannung
-
gestrahlte, hochfrequente Störspannung
Störfestigkeit
2)
-
elektrostatische Entladung nach
DIN IEC 61000-4-2 (entspricht
Schärfegrad 3)
-
induzierte leitungsgebundene Hf-Felder
nach DIN IEC 61000-4-6
-
hochfrequente, elektromagnetische
Felder nach DIN IEC 61000-4-3
-
Burst nach DIN IEC 61000-4-4
-
Surge nach DIN IEC 61000-4-5
SIRIUS Innovationen - Halbleiterschaltgeräte SIRIUS 3RF34
Gerätehandbuch, 11/2011, A5E03656507210A-01
°C
- 25 ... + 60
°C
- 55 ... + 80
m
0 ...1000;
bei > 1000 m über Technical Assistance
(www.siemens.de/industrial-controls/technical-assistance)
anfragen
g
/ms
15/11
g
2
IP20
Klasse A für Industriebereich
Klasse A für Industriebereich
kV
Kontaktentladung: 4; Luftentladung: 8;
Verhaltenskriterium 2
MHz
0,15 ... 80; 140 dBμV, Verhaltenskriterium 1
MHz
80 ... 3000, Test Level 10 V/m; Verhaltenskriterium 1
kV
2 / 5,0 kHz; Verhaltenskriterium 1
kV
Leiter - Schutzleiter: 2; Leiter - Leiter: 1;
3)
Verhaltenskriterium 2
12
1)
59

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