Inhaltsverzeichnis
Werbung
Eigenschaften der Laserdiode
G Material: GaAlAs
G Wellenlänge: 785 nm
G Impulszeit:
Lesemodus: 0,8 mW, kontinuierlich
Schreibmodus:
max. 10 mW, 0,5 S
min. Zyklus 1,5 S
Wiederholung
Caractéristiques de la diode laser
G Matière: GaAlAs
G Longueur d'onde: 785 nm
G Durées de l'impulsion:
Mode de lecture: 0,8 mW (ininterrompue)
Mode d'écriture: 10 mW (maxi), 0,5 s
Cycle mini 1,5 s
Répétition
Proprietà del diodo laser
G Materiale: GaAlAs
G Lunghezza d'onda: 785 nm
G Tempo di impulso:
Modo di lettura: 0,8 mW Continua
Modo di scrittura: max 10 mW 0,5 S
ciclo minimo 1,5 S
Ripetizione
Karakteristieken van laserdiode
G Materiaal: GaAlAs
G Golflengte: 785 nm
G Pulstijden:
Leesfunctie: 0,8 mW Doorlopend
Schrijffunctie:
max. 10 mW 0,5 S
min. cycle 1,5 S
Herhaling
v
6
Laser Diode Properties
G Material: GaAlAs
G Wavelength: 785 nm
G Pulse time:
Read mode: 0.8 mW Continuous
Write mode:
max 10 mW 0.5S
min cycle 1.5S
Repetition
Laserdiodens egenskaber
G Materiale: GaAlAs
G Bolgelaengde: 785 nm
G Impulstider:
Laesemodus: 0,8 mW kontinuerlig
Skrivemodus:
max 10 mW 0,5 S
min cyklus 1,5 S
Repetition
Laserdiodens egenskaper
G Material: GaAlAs
G Bølgelengde: 785 nm
G pulstid:
Lese-modus: 0,8 mW kontinuerlig
Skrive-modus:
maks. 10 mW 0,5 S
min. syklus 1,5 S
Gjentakelse
Quicklinks ausblenden:
Werbung
Inhaltsverzeichnis
