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Atlas DCA Pro Benutzerhandbuch
Verarmungs-Modus-MOSFETs
Die ziemlich seltenen Verarmungs-Modus-MOSFETs ähneln
stark den herkömmlichen Sperrschicht-FETs (JFET), wenn
man davon absieht, dass der Gate-Anschluss von den anderen
beiden Anschlüssen abisoliert ist. Der Eingangswiderstand
dieser Modelle kann typischerweise höher als 1000MOhm für negative und
positive Gate-Source-Spannungen sein.
Verarmungsmodus-Modelle
über
eine
verfügen, um den Drain-Source-Strom
zu steuern.
Moderne
Verarmungsmodus-Modelle
sind in der Regel nur als N-Kanal-
Modelle erhältlich und leiten etwas
Strom zwischen ihrem Drain und den Source-Anschlüssen, selbst wenn über
das Gate und die Source eine Nullspannung angelegt wird. Die Vorrichtung
kann nur vollständig ausgeschaltet werden, indem man dessen Gate deutlich
negativer als den Source-Anschluss gestaltet, zum Beispiel um -5V. Gerade
diese Eigenschaft ist es, die sie so ähnlich zu herkömmlichen JFETs macht.
Verarmungs-Modus
MOSFET
Gate-Source-Spannung
müssen
N-Ch Depletion
mode MOSFET
Red-S Green-G Blue-D
Gate threshold
V GS ( on )=-2.918V
at I D =5.00mA
I DS
Anreicherungs-Modus
MOSFET
5.0mA
Seite 22
April 2013 – Rev 1.2
V GS
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