MSI B75IA-E33 Serie Handbuch Seite 174

tCL
本項控制行位址信號 (CAS) 延遲，也就是於 SdrAM 接收讀取指令後，開始進
行讀取前的延遲時間 (以時脈計)。
trCd
在 drAM 更新時，列和欄位址是分開處理的。本項設定列位址 (rAS) 到行位
址 (CAS) 之間的過渡時間。時脈數越少，記憶體的效能越好。
trp
C本項控制列位址(rAS)預充電的時脈。若未累積足夠時間，讓列位址在記憶體
更新之前預充電，更新可能會不完全，且記憶體可能漏失資料。本項僅適用於
系統安裝同步動態隨機存取記憶體時。
trAS
t本項指定 rAS 由讀取到寫入記憶體所需時間。
trFC
本項指定 rFC 由讀取記憶體到寫入記憶體所需時間。
tWr
本項是寫入資料結束到預充電指令開始間的最短間距。本項透過感覺放大器
(sense amplifier)回復資料。
tWtr
本項是寫入資料脈衝結束到列讀取指令開始間的最短時間。輸出入閘道會先驅
動感覺放大器，再開始讀取指令。
trrd
本項設定不同記憶體分組之間 (active-to-active) 的延遲時脈。
trtp
本項設定讀取到預充電間的間隔時間。
tFAW
本項設定 tFAW (four activate window delay) 時序。
tWCL
本項設定 tWCL (Write CAS Latency) 時序。
tCkE
本項設定記憶體模組的脈波寬度。
trtL
本項設定往返延遲。
Advanced timing Configuration
按下 <Enter> 鍵以進入子選單。接著可在各個通道設定進階記憶體時序。
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