MSI B75IA-E33 Serie Handbuch Seite 150

tCL
此项控制行位址信号（CAS）延迟，它决定SdrAM接收读取指令后，开始进行
读取前的延迟时间（在时钟周期内）。
trCd
此项设定列位址(rAS)到行位址(CAS)和信号之间的延迟时间。时序数越少，
drAM 的效能越好。
trp
此项控制列位址 (rAS)预充电的时序。若无足够时间，让列位址在 drAM 更新
之前预充电，更新可能会不完全，而且 drAM 可能漏失资料。此项仅适用于系
统安装同步动态随机存取内存时。
trAS
此设置决定了 rAS 由读取到写入内存所需时间。
trFC
此设置决定了 rFC 由读取到写入内存所需时间。
tWr
最后一次写操作和下一次开始预充电操作之间的最小时间间隔，允许感觉线路
恢复核心数据。
tWtr
最后一次有效写操作和下一次开始读操作之间的最小时间间隔。允许I/o在读命
令开始前超速感觉线路。
trrd
此项指定不同内存块active-to-active的延迟。
trtp
此项指定读指令和预充电之间的时间间隔。
tFAW
此项用来设置 tFAW (four activate window delay) 时序 。
tWCL
此项用来设置 tWCL (Write CAS Latency) 时序。
tCkE
此项用来为内存模组设置脉冲宽度。
trtL
此项目用于设置环程等待时间。
Advanced timing Configuration
按 <Enter> 进入子菜单。并且你可以为每个通道设置高级内存时序。
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