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15. 9MHz- ZF- Auskoppelstufe:
Die sich auf der Hauptplatine befindliche ZF- Auskoppelstufe dient zur rück-
wirkungsfreien Auskopplung eines 9MHz ZF- Signals für die Weiterleitung
z. B. an einen externen SDR- Konverter. Der über C34 lose an den breitban-
digen Mischerausgang angekoppelte JFET T1 arbeitet als Spannungsfolger;
sein dynamischer Ausgangswiderstand von etwa 200 Ohm wird mittels Tr1
auf einen Quellwiderstand von etwa 50 Ohm transformiert. R3 bestimmt den
DC- Arbeitspunkt der Stufe (~ 4,5mA).
16. S/ E Umschaltbaugruppe:
Die Baugruppe dient zur Umschaltung der 9V- Systemspannung auf die rele-
vanten Empfänger,- bzw. Senderstufen während des Empfangs,- bzw. Sende-
betriebs.
Die Umschaltung erfolgt voll elektronisch und gestattet somit uneinge-
schränkten QSK- Verkehr.
Ferner befindet sich in der Baugruppe eine Schaltstufe, deren Ausgang dazu
dient z. B. eine externe Endstufe oder Transverter fernzuschalten ( Remote)
. Im CW- Betrieb wird dabei eine einstellbare Abfallverzögerung ( delay)
wirksam.
a) S/E- Umschaltung:
Empfangsbetrieb: während des Empfangszustands ist T1 gesperrt; d. h. sein
Collector liegt auf + 9V und über R8 auch das Gate des nachgeschalteten
und somit gesperrten P- Kanal- MOSFETs T2. Die für die Senderspannungs-
versorgung zuständigen Ausgangspins
nungslos ( 0V). T4 erhält als Folge keine Basisvorspannung und sperrt. Der
Ausgang des nachfolgenden NAND- Gatters G4 ist auf " low"- Potenzial und
schaltet den P- Kanal MOSFET T3 leitend. Die für die Empfängerspannungs-
versorgung zuständigen Ausgangspins ( St2/ 3-4) liefern nunmehr die + 9V-
Systemspannung zu den relevanten Empfängerstufen hin weiter.
Sendebetrieb: T1 erhält über R1 das von St1/ 1 kommende positive Tastsig-
nal und schaltet durch. Der während des Empfangsmodus auf Betriebsspan-
10
( St2/ 1-2) sind nunmehr span-
nung aufgeladene C3 wird nunmehr über R8 entladen. Erreicht die Entla-
despannung die Gateschwelle von T2 beginnt dieser leitend zu werden. Da
C3 im Gegenkopplungszweig liegt arbeitet T2 als Integrator mit der Folge,
daß die Versorgungsspannung zum Sendeteil ( St2/ 1- 2) linear von 0V bis
+ 9V ansteigt. Die Anstiegszeit beträgt dabei etwa 4ms. Durch den verlang-
samten Spannungsanstieg erfolgt " Weichtastung" des Senders. Wird die
Ube- Schwelle ( 0,6V) von T4 erreicht schaltet dieser durch und sperrt über
das NAND- Gatter G4 augenblicklich T3. Die Spannungsversorgung des Emp-
fangsteils ( St2/ 3-4) wird somit vorzeitig abgeschaltet bevor die Sendeleis-
tung " hochgefahren" ist.
Wird die Sendetastung beendet, geht T1 wieder in den Sperrzustand über. C3
wird wieder über R8 aufgeladen; durch die Integratorfunktion sperrt T2 nur
langsam. Die Versorgungsspannung zum Sendeteil ( St2/ 1-2) fällt linear
von + 9V auf 0V; die Abklingzeit beträgt dabei wiederum etwa 4ms. Die Sen-
deleistung wird " weich" heruntergefahren. Wird die Ube- Schwelle ( 0,6V)
von T4 unterschritten sperrt dieser und schaltet über das NAND- Gatter
G4 den MOSFET T3 wieder leitend welcher über St2/ 3-4 den Empfangsteil
wieder mit Spannung versorgt. Bedingt durch die Schwellspannung von T4
erfolgt die Umschaltung in den Empfangsmodus erst nachdem die Sendeleis-
tung heruntergefahren wurde.
b) Schaltstufe:
CW- Betrieb:
St1/ 5 = 0V
St1/ 6 = + 9V
Pin 1 von IC1 wechselt im Tastrythmus nach " low" d. h. der Ausgang Pin 3
befindet sich während der Tastung auf " high"- Potenzial.
Über D3 erhält Pin 6 von IC1 ebenfalls " high"- Pegel; ferner wird C2 über
R5 ( Ladestrombegrenzung) aufgeladen. Der Ausgang Pin 4 wechselt auf
" low" und nach Invertierung in G3 befindet sich dessen Ausgang Pin 10
somit auf " high"- Potenzial. Die Schaltstufe T5 erhält über R13 Basisstrom
und schaltet durch. Eine über ST1/ 1 angeschlossene externe PA wird akti-
viert.
Wird die Tastung beendet sperrt T1 und Pin 3 von IC1 wechselt augen-
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