MSI E350IA-E45 Bedienungsanleitung Seite 105

tRCd
在dRaM更新時，列和欄位址是分開處理的。本項設定列位址 (RaS) 到行位址
(CaS) 之間的過渡時間。時脈數越少，記憶體的效能越好。
tRP
本項控制列位址(RaS)預充電的時脈。若未累積足夠時間，讓列位址在記憶體更
新之前預充電，更新可能會不完全，且記憶體可能漏失資料。本項僅適用於系
統安裝同步動態隨機存取記憶體時。
tRaS
本項指定 RaS 由讀取到寫入記憶體所需時間。
tRC
本項是記憶體由列活化到預充電整個所需的最小週期。
dRaM Voltage
本欄位用來調整dRaM電壓。
CPu Feature
按下 <enter> 鍵，即可進入子選單。您可於該子選單調整 CPu 功能。
Save & exit
discard Changes and exit
本項用以放棄所有變更及離開設定畫面。
Save Changes and Reset
本項用以儲存變更後重開機。
Save Changes
本項用以儲存變更。
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