Matsushita SR-8588-B Bedienungsanleitung Seite 5

for DVD
LASER Specification
Type: Semiconductor laser InGaAlP / AlGaAs
Wave Length: 650 ± 10 nm
θ = 24 ° ~ 32 ° (Typical 28 °)
Divergence:
Output Power: 0.30 mW
Laser- specifikationer: (For Swedish)
Typ: Laserhalvedare InGaAlP / AlGaAs
Våglängd: 650 ± 10 nm
θ = 24 ° ~ 32 ° (Typical 28 °)
Divergens:
Uteffekt: 0,30 mW
LASER Spesifikasjon: (For Norwegian)
Type: Halvleder laser InGaAlP / AlGaAs
Bølgelengde: 650 ± 10 nm
θ = 24 ° ~ 32 ° (Typical 28 °)
Divergens:
Utgangseffekt: 0,30 mW
Laser Specifikationer: (For Danish)
Type: Semiconductor InGaAlP / AlGaAs
Bølge-længde: 650 ± 10 nm
θ = 24 ° ~ 32 ° (Typical 28 °)
Divergens:
Udgang-effekt: 0,30 mW
LASERin tekniset tiedot: (For Finnish)
Tyyppi: Laserpuolijohdin InGaAlP / AlGaAs
Aallon pituus: 650 ± 10 nm
Hajaantuminen: θ = 24 ° ~ 32 ° (Tyypillinen 28 °)
Teho: 0,30 mW
For Finnish
VAROITUS!
For Swedish
VARNING!
A-2
Laitteen käyttäminen muulla kuin tässä käyttöohjeessa mainitulla tavalla
saattaa altistaa käyttäjän turvallisuusluokan 1 ylittävälle näkymättömälle
lasersäteilylle.
Om apparaten används på annat sätt än i denna bruksanvisning
specificerats, kan användaren utsättas för osynlig laserstrålning, som
överskrider gränsen för laserklass 1.
for CD
LASER Specification
Type: Semiconductor laser InGaAlP / AlGaAs
Wave Length: 790 ± 15 nm
θ = 25 ° ~ 39 ° (Typical 32 °)
Divergence:
Output Power: 0.23 mW
Laser- specifikationer: (For Swedish)
Typ: Laserhalvedare InGaAlP / AlGaAs
Våglängd: 790 ± 15 nm
θ = 25 ° ~ 39 ° (Typiskt 32 °)
Divergens:
Uteffekt: 0,23 mW
LASER Spesifikasjon: (For Norwegian)
Type: Halvleder laser InGaAlP / AlGaAs
Bølgelengde: 790 ± 15 nm
θ = 25 ° ~ 39 ° (Typisk 32 °)
Divergens:
Utgangseffekt: 0,23 mW
Laser Specifikationer: (For Danish)
Type: Semiconductor InGaAlP / AlGaAs
Bølge-længde: 790 ± 15 nm
θ = 25 ° ~ 39 ° (Typisk 32 °)
Divergens:
Udgang-effekt: 0,23 mW
LASERin tekniset tiedot: (For Finnish)
Tyyppi: Laserpuolijohdin InGaAlP / AlGaAs
Aallon pituus: 790 ± 15 nm
Hajaantuminen: θ = 25 ° ~ 39 ° (Tyypillinen 32 °)
Teho: 0,23 mW