20p
In
1223
33k
rK
'11
6
12
1734
220
'0
A
bc br «C
D13 D15
1224 ,111 , 11.
104
91249
47 k
7241
4,7 k
1250
270
C 1227
4.7
—111+
1254
1 M
R 1251
4,7k
072.12- I
I
TI
•
I
C 1008
.7
680p
009
' •-• s
1020.
4-0
R 1011
10k
3
=
II—
>10
C 1009
0609
1012
5
r K
IC 1208
MC 14064 BCP
C BE
2 N 5551
1 54 48
TDA 1074
10, 4 , 209
C1202
Cl 03
1
01
B 81210
81212
R 1213
47k
47k
ad
aa
A20
A19
+D
1207
8
R 1260
4,7k
117/
LD 1165
LD 30/1
81116
1.2k
R 1258
220
T 1055
BC 558
C 1213
C 1214
1.8 n
120 p
R 1234
6 1233
39k
399
11
15)
C 1215 C 1216
33n
1209
1236
01237
1809
129
14 14 15
131 16
12) 17
TDA 1074
18
9
81224
R 1225 10
C
+
1k
1k
1217 =
4-01-4-01-4
100 ui
C 1207
C 1208
0,14
0,1 4
ll
II
7,321 1 48
+0!
C 1228
4,755
uP-Einheit
sL
pf , unit
MUTING—
pP-unite
C 23
C23
1 -18
1085
1 k
MT
Spannungen ohne Signal gemessen mit
Digitalvoltmeter IRi = 10 M3- 2) gegen Masse.
Voltages without signal measured wink
digital voltmeter 113i = 10 MG) to ground.
Tensions mesurees sans signal avec voltmetre
digital 113i = 10 Mn) contra masse.
Transistoren von der Anschlußseite gesehen
Transistors as men >rum the connecting side
Transistors aus du cöte des connexions
6
+C
=
1209
47 u
1300
10
390
2,7k
1301
27k
—0 1V
T 1301
BC 450
—34 V
7309
IC 1903
MC 4065 BCP
71302
2 5 555
1307
109
1312
1
921 0 6 VI
T 1303
00 490
A
D 1205
1 N 4148
R 1319
IC
von der Bestückungsseite gCehen
a sten from the top side
v du cöte elements
8
7
10
119
9
14
n
MC 402 BCP
18
16
n
18
c
13,21
16 4148
o
51 "
34
9'
2
eE
n 5,
MC 4066 BCP
TDA 1028
TDA 1074
RC 4569 ON
k
II 1004
154149
909305
1 N4148
1321
k
1326
590
2
1 1 1 1242
1171 1 "
R 1241
126
7
1236
10
1
R 1243
22k
—
11 -1—
C 1219
4.70
820 p
1220 I
81332
D 1304
15
1 N 400
1(I
T 1309
00 901
1131:15 23 Cl
fl 1334
0 7 V
50
T 1307
00 5468
T 1310
1:7 11 , 4 - 1711111 11 2 2 4 Cl
7
1333
e ice
1 N 400
Änderungen vorl
Alterations reser
Sous reserve der
4