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MESSWERTE
BESCHREIBUNG
DER
SCHALTKREISE
« 4 Ohm Last, beide Kanale betrieben
Durch
die Verwendung
von Feldeffekttransistoren
(FET)
in der gesamten
Auslegung,
wurde
das Endverstarkerteil
als eine
durch
Gleichstrom
(DC) getriebene
Ejinheit mit
zwei
Differentialverstarkern,
erste
und
zweite
Stufe,
ausgelegt,
dessen
Ausgang
einen
symmetrisch
ausge-
glichenen
Treibkreis
bildet.
In den
beiden
Differential-
verstarkern
finden
Doppel-Typ-Feldeffekttransistoren
Ver-
wendung,
welche
einen
hohen
gm-Wert
aufweisen
und
besonders
gerduscharm
sind.
Das aus der Eingangsbuchse (SO1A-D)
kommende Signal
wird
zuerst
in den, aus den
Doppel-Typ-Feldeffekttran-
sistoren
(Q1 oder O2) bestehenden
Differentialverstarker
der ersten
Stufe
geleitet,
in welchem
es das erste Mal
erhoht
wird. Das Signal geht als nachsten
Schritt durch
den,
aus
den
hochspannungswiderstandsfahigen
Ver-
bindungstyp-Feldeffekttransistoren
(Q3 und QO5, oder O04
und Q6) bestehenden
Kaskadenverstarker der ersten Stufe
und gelangt dann in den, aus den P-Kanal MOS-Feldeffekt-
transistoren (Q11 und 13, oder O12 und 14) bestehenden
Differentialverstarker
der
zweiten
Stufe,
in
dem
es
es
einer
Phasenumkehrung
unterlduft;
schlie@lich
erregt
den
Feldeffekttransistoren
(023,
025,
O27
und
Q29,
oder
024,
O26,
Q28
und
O30) bestehenden
Ausgangs-
verstarker
zur
Leitung anzutreiben.
Dem
Source-Eingang
des Doppel-Typ
FET (Q1 oder Q2)
des
Differentialverstarkers
der
ersten
Stufe,
wird
ein,
vom Feldeffekttransistor (Q7 oder Q8) und der Zenerdiode
(D1 oder D2) aufrechterhaltener, Konstantstrom zugefthrt,
welches ihn weniger vom Einflu& der Umgebungstemperatur
abhangig
macht.
Jeder der Kaskadenverstarker
in beiden
Stufen
ist zum
Erlauben
einer schnellen
Eingangssignal-
annahme
von
selbst
sehr
kurzzeitigen
Signaleingangen
vorgesehen, und auch zur Aufrechterhaltung von gerduschs-
armen
und
verzerrungsarmen
Ausgangseigenschaften.
DarUberhinaus
sind die Feldeffekttransistoren
(Q11
und
Q13, oder Q12 und Q14) des Differentialverstarkers der
zweiten
Stufe
mit
dem
selben
Warmeableitungsblech
verbunden,
welches
die
Ausgangseigenschaften
dieser
Transistoren
equalisiert.
Der
Ausgangsverstarker
ist auf
eine Weise als symmetrischer Komplimentarkreis ausgelegt,
da&
er
acht
Endverstaérker-MOS-FET's
(Q23
bis Q30)
Ri
R27
SOK
is2a73x2
bil
vRi
Ve
ps
47k-8
rooA
Q3~Q8
2SKI27S
BOO
Qli~Qi8
2SJ77
=
Sh a
© +70V
Q1,Q2
2SKIIIE
QI9~Q22 | 2SK214
Q23 ~0Q26 | 2SK226
Q27~Q30)
2582
° Frequenz (Hz)
e Ausgang gegen Verzerrung
-40hm
10k
100k
Last, beide Kandale betrieben
Gleichstromeingang
—> Lautsprecheranschlu&klemme
* Verzerrung (%)
+ Dampfungsfaktor
* Verzerrung (%)
6
27P 4
Q27
be
R39
C23
rie:
560
I/100V
Sot
alr
R33
>
.22
8")
7
ran
00:
-64av
7
-665V
(T-) R35
fe)
2
ae
a2k
Orv
-63.8v
A
oF
R37
=
-55V
Hz682L
R19
560
hd
27
+—© Ground
© -10V
vt
T
2]
R20
A
DF
iieezt
Lake
Seo
636v
-6av
os
~665V
24
CNS 20!
RB
680K
ca2
1MNOOv
k26 @
Ground
{I
0 +70V
an
$63
RLAA {. Sroind
ie nae
+55V
Audio signal
}
+55V-
Ground
L¢— _ssv
Abbildung
7 ENDVERSTARKERKREIS
=7=
0.005
* Verzerrung (%)
Set
--x--~----x-
+ Rechter Kanal
(al all
ATT
1k
10k
20k
oat te
* Frequenz (Hz)
*60Hz:7kHz
4:1
ARE
+ Zwischenmodulationseigenschaften
4 Ohm Last
* Ausgang (W)
=g=
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