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VORSICHTSMASSNAHMEN
BEI DER
BEHANDLUNG
VON
MOS
IC
Bei MOS
IC wird die elektrische
Leitfdhigkeit zwischen dem
Source-Eingang
und
dem
Ablauf
durch
Verwendung
der
Spannung
an
der Gate-Elektrode
durch
einen
isolierenden
Oxidfilm
(SiOz)
kontrolliert.
Wird
eine
Uberspannung
der
Gate-Elektrode
zugeleitet, schlagt der Isolierer an der Gate-
Elektrode
durch. Wenn
einmal
ein solcher Spannungsdurch-
schlag aufgetreten ist, werden die Verbindungen zwischen der
Gate-Elektrode
und anderen Ausgdngen
kurzgeschlossen
und
Normalfunktion
des MOS
IC kann
nicht wieder
hergestellt
werden.
«
VORSICHTSMASSNAHMEN
BEI TRANSPORT
UND
LAGERUNG
Im
Vergleich
zu normalen
integrierten
Halbleiterkreisen,
hat ein MOS
IC eine erstaunlich hohe Ausgangs- oder Ein-
gangsimpedanz.
MOS IC-Kreise sind daher Beeinflussungen
von in der Nahe befindlichen
Hochspannungs- oder Netz-
spannungsleitungen
ausgesetzt und Spannungsdurchschlage
konnten durch Korperausstrahlung den Kreis zerstOren. Um
diese
Moglichkeit
auszuschalten,
sollten
alle
Anschlu&-
stifte des MOS
IC wahrend Transport und Lagerung, durch
die folgenden Methoden auf dem gleichen Potential gehalten
werden.
(KurzschlieRen
aller Stifte)
@ Den MOS
IC mit dtinnem Draht umwickeln.
@) Einen Metallring aufsetzen.
@ In Aluminiumfolie einwickeln.
@
In einer elektrisch leitfahigen Vorrichtung aufbewahren.
©
In einem
MOS
IC Spezialbehdlter
aufbewahren.
Anmerkung:
Einen
MOS
IC niemals
in einem
schlecht-
leitendem
Behdlter, wie in einem
Polystyrol-
behalter, aufbewahren.
Auch
ist MOS
IC-Kreis besonders empfindlich gegen statische
Aufladungen,
weil
der Gate-Oxidfilm
sehr dtinn
(1000
bis
1500 A) ist. Zwar ist fir den Schutz des MOS IC ein Eingangs-
schutzkreis vorgesehen, jedoch kann dieser den Kreis nicht in
jeder Situation
genlgend, entsprechend
den Umstanden
der
Verwendung
des MOS
IC, schutzen.
Deshalb
bei der Behandlung
des MOS
IC die folgend auf-
gefuhrten
Vorsichtsmagnahmen_
beachten.
=
VORSICHTSMASSNAHMEN
BEI
DER
WARTUNG
@ Das
benutzte
Lotgerdt
sollte
ein
Geradt
mit
geringer
Streuung
sein.
(Mit
einem
Streuungswiderstand
von
mehr als 100 kOhm
— ftir Halbleiter k6nnen
Lotgerate
mit mehr als
1 Megohm
benutzt werden.) Anderenfalls
mu& das Lotgerdt geerdet werden.
@ Die Erdklemme des MeRinstrumentes erden.
@
Die
Arbeitsbank
erden.
®@ Vor Entfernen
oder Einsetzen
eines IC von oder in die
Leiterplatte,
den
Netzschalter
unbedingt
ausschalten.
© Beim Einsetzen eines IC in eine Leiterplatte, die Masse-
klemme
der Leiterplatte
erden.
© Die Stifte des IC niemals mit der Hand bertihren.
@ Die
Erdkiemme
der Gleichstromquelle
erden.
Um
Beschddigungen
des IC durch menschliche K6érper-
ausstrahlungen
zu
schutzen,
mu
der
menschliche
Korper geerdet werden.
Hierzu
ist gré&te Sorgfalt er-
forderlich,
weil
andernfalls
der
K6orper
unter
Strom
gesetzt
werden
konnte.
(Auf
keinen
Fall eine
Netz-
stromquelle
bertihren.)
©) Weil MOS IC durch sehr geringe Stréme aktiviert werden,
ist darauf zu achten, dag Lotfett entfernt und Behand-
lungen gegen Feuchtigkeit nach der Reparatur ausgeftihrt
werden.
(Das
Mittel
fir Feuchtigkeitsfeste
flir elek-
tronische
Rechenmaschinen
anwenden.)
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