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HF
- TEIL
UKW-Baustein
Der Vorstufenverstirker besteht aus einem in Source-
Schaltung arbeitenden Dual-Gate-MOS-FET
T 101.
Vom Antenneneingang gelangt das Signal Uber den
durchstimmbaren Antennenkreis L 101, den Vorstufen-
FET T 101 und die Zwischenkreise L 102, L 103, die
als Bandfilter wirken, symmetrisch auf den Mischer
IC 101. Die Vorkreise werden mit denDoppel-Kapa-
zitdtsdioden D 101, 102, 103 abgestimmt. Der
Oszillator T 102 schwingt in Basisschaltung Uber L 104
und wird durch D 104 abgestimmt. Die Uber den
kapazitiven Teiler C 121, C 122 geteilte Oszillator-
spannung wird Uber den Emitterfolger T 103 entkoppelt
an den Mischer IC 101 gefuhrt.
Der Mischer~Ausgang arbeitet auf die ZF Filter Fi 101,
Fi 102. Uber C 128 wird an den Dioden D 105, D 106
eine ZF-abhingige Richtspannung gewonnen und an die
Basis von T 104 gefuhrt. Hierdurch vertndert sich die
Spannung am G 2 des Transistors T 101, wodurch die
Verstérkung der Vorstufe geregelt wird.
AM-=-HF-Baustein
die Basis des Mischtransistors T 202. Der in Emitter-
schaltung arbeitende, mit einer Kapazitutsdiode durch-
stimmbare Oszillator
204 bzw. L 205 mit dem Transistor
T 204 zeichnet sich durch geringen Amplitudengang im
Frequenzvariationsbereich und geringe HF-Spannung am
Hei8punkt des Schwingkreises aus. Das Oszillatorsignal
gelangt Uber den Emitterfolger T 203 zum Emitter des
Mischtransistors T 202.
Bei der verzégert einsetzenden Mischerregelung wird
das Eingangssignal durch den HF-Spannungsteiler, be-
stehend aus dem Innenwiderstand des Attennenkreises
und dem differentiellen Innenwiderstand der in Prallel-
schaltung wirkenden Dioden D 204, D 205 herabgesetzt.
RS 1synthesizer
TS 501
A 501
Synthesizer
- Baugruppe
im UKW-~Baustein Uber den Transistorvorverstérker T 5401
Raster frequenz
z.B. fur die untere Bandgrenze
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