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iC-MH
12 BIT HALL WINKEL-ENCODER
KENNDATEN
Betriebsbedingungen:
VPA,VPD = 5 V ±10 %, Tj = -40...125 °C, IBM auf 200µA justiert, 4 mm NdFeB Magnet, wenn nicht anders angegeben
Kenn- Formel-
Benennung
Nr.
zeichen
Takterzeugung
501
f()sys
Systemtakt
502
f()sdc
Takt Sinus Digital Wandler
Wandlerkern
601
RESsdc
Auflösung Sinus Digital Wandler
602
AAabs
Absolute Wandlergenauigkeit
603
AArel
Relative Wandlergenauigkeit
604
f()ab
Frequenz an A, B
605
REScom
Auflösung Kommutierungswand-
ler
606
AAabs
Absolute Genauigkeit Kommutie-
rungswandler
Digitalsignale Serielle Schnittstelle: MA, SLO, SLI
701
Vs(SLO)hi Sättigungsspannung High
702
Vs(SLO)lo Sättigungsspannung Low
703
Isc(SLO)hi Kurzschlussstrom High
704
Isc(SLO)lo Kurzschlussstrom Low
705
tr(SLO)
Anstiegszeit SLO
706
tf(SLO)
Abfallszeit SLO
707
Vt()hi
Schwellspannung High MA, SLI
708
Vt()lo
Schwellspannung Low MA, SLI
709
Vt()hys
Schwellspannungshysterese MA,
SLI
710
Ipd(SLI)
Pull-Down Strom 30 µA SLI
711
Ipu(MA)
Pull-Up Strom 30 µA MA
712
f()MA
Zulässige Frequenz an MA
Zapping und Test
801
Vt()hi
Schwellspannung High VZAP,
PTE
802
Vt()lo
Schwellspannung Low VZAP,
PTE
803
Vt()hys
Schwellspannungshysterese
804
Vt()nozap
Schwellspannung Nozap VZAP
805
Vt()zap
Schwellspannung Zap VZAP
806
V()zap
Spannung zum Zappen
807
V()zpd
Diodenspannung gezappt
808
V()uzpd
Diodenspannung ungezappt
809
Rpd()VZAP Pull-Down Widerstand an VZAP
Fehlermeldeausgang NERR
901
Vt()hi
Eingangsschwellspannung High
902
Vs()lo
Sättigungsspannung Low
903
Vt()lo
Eingangsschwellspannung Low
904
Vt()hys
Eingangshysterese
905
Ipu(NERR) Pull-up Strom 300 µA
906
Isc()lo
Kurzschlußstrom Low NERR
907
tf(NERR)
Abfallszeit NERR
Bedingungen
Referenz Biasstrom abgeglichen
Referenz Biasstrom abgeglichen
Vpp() = 4 V, nach erfolgtem Abgleich
bezogen auf Ausgangsperiode an A, B, mit
CFGRES = 0x80, siehe Bild 17
CFGMTD = '0'
CFGMTD = '1'
V(SLO) = V(VPD)
V(), I(SLO) = -4 mA
I(SLO) = 4 mA gegen VND
V(SLO) = V(VND), 25 °C
V(SLO) = V(VPD), 25 °C
CL = 50 pF
CL = 50 pF
V() = 1 V...V(VPD)
V() = 0 V...V(VPD)-1 V
gegen VND
gegen VND
Vt()hys = Vt()hi
Vt()lo
V() = V(VZAP)
V(VPD), V(VPD) = 5 V ±5 %,
bei Chiptemperatur 27 °C
V() = V(VZAP)
V(VPD), V(VPD) = 5 V ±5 %,
bei Chiptemperatur 27 °C
PROGZAP = '1'
V() = 0 V...V(VPD)
gegen VND
I() = 4 mA gegen VND
gegen VND
Vt()hys = Vt()hi
Vt()lo
V(NERR) = 0...VPD
1 V
V(NERR) = V(VPD), 25 °C
CL = 50 pF
Ausgabe B1, Seite 5/23
Einh.
Min.
Typ
Max.
0.85
1.0
1.15
MHz
14
16
18
MHz
12
Bit
-0.35
0.35
Deg
-10
10
%
0.5
MHz
2.0
MHz
1.875
Deg
-0.5
0.5
Deg
0.4
0.4
-80
-50
mA
50
80
mA
60
ns
60
ns
2
0.8
150
250
mV
6
30
60
µA
-60
-30
-6
µA
10
MHz
2
0.8
150
250
mV
0.8
1.2
6.9
7.0
7.1
2
3
30
55
k
2
0.4
0.8
150
250
mV
-700
-300
-80
µA
50
80
mA
60
ns
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
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