turck NI4-DSU35TC-2Y1X2/S933 Betriebsanleitung

NI4-DSU35TC-2Y1X2/S933
Induktiver Sensor – Doppelsensor für Schwenkantriebe
Technische Daten
Typ
Ident-No.
Sonderausführung
Bemessungsschaltabstand
Einbaubedingung
Korrekturfaktoren
Wiederholgenauigkeit
Temperaturdrift
Hysterese
Umgebungstemperatur
Ausgangsfunktion
Ventilansteuerung
Schaltfrequenz
Spannung
Stromaufnahme unbetätigt
Stromaufnahme betätigt
Zulassung gemäß
Innere Kapazität (C ) / Induktivität (L
i
Kennzeichnung des Gerätes
Warnung
Bauform
Abmessungen
Gehäusewerkstoff
Hans Turck GmbH & Co. KG | 45466 Mülheim an der Ruhr, Germany | T +49 208 4952-0 | F +49 208 4952-264 | more@turck.com | www.turck.com 1|3
NI4-DSU35TC-2Y1X2/S933
1051011
S933 entspricht:
Gemäß BASF-Spezifikation, schwarze
Verschraubungen
4 mm
nicht bündig
St37 = 1; Al = 0,3; Edelstahl = 0,7; Ms =
0,4
≤ 2 % v. E.
≤ ± 10 %
1...10 %
-25...+70 °C
Vierdraht, NAMUR
Exi (max. 30 V)
0.05 kHz
nom. 8.2 VDC
≥ 2.1 mA
≤ 1.2 mA
KEMA 02 ATEX 1090X
) 150 nF / 150 µH
i
É II 2 G Ex ia IIC T6 Gb / II 1 D Ex ia II-
IC T95 °C Da
(max. U = 20 V, I = 60 mA, P
i i
statische Aufladung vermeiden
Doppelsensor für
Schwenkantriebe, DSU35
62 x 60 x 35.4 mm
Kunststoff, PP-GF30, gelb
Merkmale
■
quaderförmig, Bauform DSU35
■
Kunststoff, PP‐GF30‐VO
■
zwei Ausgänge zur Überwachung der Stel-
lung von Schwenkantrieben
■
Montage auf alle Normantriebe
■
Einpress‐ und Gewindebuchsen aus Edel-
stahl
■
freigegeben bei BASF
■
DC 2‐Draht, nom. 8,2 VDC
■
2 x Ausgang gemäß DIN EN 60947‐5‐6
(NAMUR)
■
Klemmenraum
■
ATEX Kategorie II 2 G, Ex Zone 1
■
ATEX Kategorie II 1 D, Ex Zone 20
■
SIL2 (Low Demand Mode) gemäß IEC
61508, PL c gemäß ISO 13849-1 bei HFT0
■
SIL3 (All Demand Mode) gemäß IEC
61508, PL e gemäß ISO 13849-1 bei redun-
dantem Aufbau HFT1
Anschlussbild
Funktionsprinzip
Induktive Sensoren erfassen berührungslos
und verschleißfrei metallische Objekte.
Doppelsensoren sind speziell zur
Stellungsabfrage von Schwenkventilen
konstruiert und kombinieren die
Funktionssicherheit von berührungslosen
induktiven Sensoren mit der Flexibilität eines
Aufbaugehäuses.
= 200 mW)
i