MSI NF725-C35 Serie Bedienungsanleitung Seite 133

advance dRaM Configuration (進階記憶體設定)
按下 <enter> 鍵，即可進入子選單。
dRaM timing Mode (記憶體時序模式)
將本項設為 [auto](自動)時， 本項可自動偵測記憶體時序。
t/2t Memory timing (t/2t 記憶體時序)
將「記憶體時序模式」設為 [Manual] (手動)時，可調整本欄位。本項控制
SdRaM 指令速率。若選 [t]，則 SdRaM 信號控制器會以一週期速率執行(t
表時序週期)，選 [2t]，則以二週期執行。
dCt unganged Mode (記憶體控制器 unganged 記憶體)
本功能將兩個 64-bit dCt 整合成 28-bit 介面。
FSB/dRaM Ratio (FSB / 記憶體倍頻比率)
本項可設定 FSB 的倍頻比率到記憶體。
adjusted dRaM Frequency (MHz) (調整後記憶體頻率)
本項顯示調整後記憶體的頻率。唯讀。
adjusted Ht Link Frequency (MHz) (調整後 Ht Link 頻率)
本項顯示調整後Ht Link的頻率。唯讀。
auto disable PCi/PCi-e Frequency (自動關閉 PCi-e 頻率)
設為開啟 [enabled]，系統會將未使用的 PCi/ PCi-e 插槽移除 (關閉) 時脈以減少
電磁波干擾 (eMi)。
dRaM Voltage (V)
本項用來調整記憶體的電壓。
Spread Spectrum ( 頻譜擴散組態 )
主機板的時脈產生器開展到最大時，脈衝的極大值突波，會引起電磁波干擾
(eMi)。頻譜擴散功能，可藉由調節脈衝以減少 eMi 的問題。若無電磁波干擾的問
題，請將本項目設為關閉 [disabled]，以達到較佳的系統穩定性及效能。若要符合
eMi 規範，請選擇開啟 [enabled]，以減少電磁波。切記，如需進行超頻，請務必
將本功能關閉，因為即使是些微的劇波，均足以引起時脈速度的增快，進而使超
頻中的處理器被鎖定。
注意事項
若無電磁波干擾 (eMi) 的問題，請設為關閉 [disabled]，以達較佳的系統穩定性
*
及效能。但若要符合 eMi 規範，請選擇要減少電磁波的範圍。
* 頻譜擴散組態的數值越大，可減少較多電磁波，但相對系統就越不穩定。欲知頻
譜擴散適當數值，請查詢當地規範。
如需進行超頻，請務必將本功能關閉，因為即使是些微的劇波，均足以引起時脈
*
速度的增快，進而使超頻中的處理器被鎖定。
MS-765