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Bedienungsanleitung viasis VARIO und VARIO MONO
Hinweise:
Relais dürfen nicht zum Schalten von induktiven oder kapazitiven
-
Lasten verwendet werden. Beim Schalten dieser Lasten tritt Fun-
kenbildung beim Öffnen bzw. Schließen der mechanischen
Kontakte auf, die die Kontaktoberfläche zerstört.
-
Die Vergoldung der Relaiskontakte verdampft bei hohen Schaltleis-
tungen, danach kann das Relais nicht mehr für das Schalten von
Kleinsignalen verwendet werden.
11.3.5 Technische Daten – MOSFET Leistungstransistoren
Die MOSFET Transistoren Platine(n) befindet sich in einem Zusatzgehäuse auf der viasis
Rückwand. Weitere technische Informationen zu Anschlussschema, Kabeldurchführungen etc.
siehe Anleitung Sisrelais_216_d.pdf. Insgesamt sind bis zu 2 Platinen mit 7 Leistungs-
MOSFET Transistoren steuerbar.
Maximalbestückung
Maximale Schaltspannung (UGS @ 25°C)
Maximaler Schaltstrom (ID @ 25°C)
Maximale Verlustleistung (Ptot @ 25°C)
Innenwiderstand leitend (RDSon)
Schaltzeiten (ton/toff)
Schutzbeschaltung
Hinweise:
-
MOSFET Transistoren bieten keine galvanische Trennung von viasis Elektro-
nik und Lastelektronik, unterliegen aber keinem Verschleiß (ggü. Relais).
-
MOSFET Transistoren können induktive und kapazitive Lasten schalten
-
Die MOSFET Transistoren sind mit einem vom viasis Lichtsensor gesteuerten
Tastsignal dimmbar und damit für die Versorgung helligkeitsgesteuerter kun-
denspezifischer Zusatzanzeigen geeignet.
4 p-Kanal MOSFET Transistoren
20 Volt DC
74 Ampere DC
200 Watt
0,02 Ohm
< 200 ns
Freilaufdiode Source-Drain
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via
traffic
controlling
gmbh
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