Asus F1A55-M LE R2.0 Handbuch Seite 31

DDR3-1333 MHz
Anbieter Part Nr.
OCZ OCZ3P1333
LV6GK
PSC AL7F8G73F-DJ2
PSC AL8F8G73F-DJ2
SAMSUNG M378B2873
FHS-CH9
SAMSUNG M378B5773D
H0-CH9
SAMSUNG M378B5673F
H0-CH9
SAMSUNG M378B5273C
H0-CH9
Super Talent W1333UA1GH
Super Talent W1333�2G8(�MP)
Super Talent W1333UB2GS
Super Talent W1333UB4GS
Super Talent W1333U�6GM
Transcend JM1333KLN-2G
Transcend JM1333KLU-2G
Transcend TS256MLK64V3U
DDR3-1066 MHz
Anbieter Part Nr.
Crucial CT12864B
A1067.8FF
Crucial CT25664B
A1067.16FF
ELPIDA EBJ10UE8
EDF0-AE-F
ELPIDA EBJ21UE8
EDF0-AE-F
KINGSTON KVR1066
D3N7/1G
KINGSTON KVR1066
D3N7/2G
KINGSTON KVR1066
D3N7/4G
Micron MT8JTF12864
AZ-1G1F1
Micron MT16JTF2566
4AZ-1G1F1
ASUS F1A55-M LE R2.0
SS/DS Chip- Chip -Nr.
Marke
DS - -
SS PSC A3P1GF3FGF
DS PSC A3P1GF3FGF
SS SAMSUNG K4B1G0846F
SS SAMSUNG K4B2G0846D
DS SAMSUNG K4B1G0846F
DS SAMSUNG K4B2G0846C
SS Hynix H5TQ1G83TFR
SS - -
DS SAMSUNG K4B1G0846F
DS SAMSUNG K4B2G0846C
DS Micron 0BF27D9KPT
SS Micron 0YD77D9LGK
DS Transcend TK243PDF3
DS Micron 9GF27D9KPT
Chip-
Größe SS/DS Chip -Nr.
Marke
1GB SS Micron 9GF22D9KPT
2GB DS Micron 9HF22D9KPT
1GB SS ELPIDA J1108EDSE-DJ-F
2GB DS ELPIDA J1108EDSE-DJ-F
1GB SS ELPIDA J1108BFSE-DJ-F
2GB DS ELPIDA J1108BDSE-DJ-F
4GB DS Hynix H5TQ2
G83AFR
1GB SS Micron 9GF22D9KPT
2GB DS Micron 9HF22D9KPT
Timing Spannung DIMM-Sockel-
Support(Optional)
1 DIMM
7-7-7-20 1.65V
- -
- -
- -
- -
- -
- -
9 -
8 -
9 -
- -
9-9-9-24 1.5V
- -
- -
- -
DIMM-Sockel-
Support(Optional)
Timing Spannung
1 DIMM
7 - •
7 - •
- 1.35V •
(low
voltage)
- 1.35V •
(low
voltage)
7 1.5V •
7 1.5V •
7 1.5V •
7 - •
7 - •
2 DIMM
• •
• •
• •
• •
• •
• •
• •
• •
• •
• •
• •
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• •
• •
• •
2 DIMMs
•
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•
1-19