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BIOS
Precharge to Active (Trp)
Legen Sie den Zeitraum der Precharge-Phase vor dem Refresh fest. Der Wert wird
standardmäßig durch den SPD zugewiesen.
Auswahlmöglichkeiten: 3T, 2T.
Active to Precharge (Tras)
Spezifizieren Sie die Zeitdauer, in der eine Speicherzeile (Row) offen gehalten wird, um
multiple Zugriffe zu ermöglichen (legt die minimale RAS-Pulsbreite fest). Der Wert wird
standardmäßig durch den SPD zugewiesen.
Auswahlmöglichkeiten: 6T, 5T.
Active to CMD (Trcd)
Legen Sie die Zeitspanne zwischen dem RAS (Row Address Strobe)- und dem CAS
(Column Address Strobe)-Signal fest. Der Wert wird standardmäßig durch den SPD
zugewiesen.
Auswahlmöglichkeiten: 3T, 2T, 4T, 5T.
DRAM Burst Length
Auswahlmöglichkeiten: 4, 8.
DRAM Queue Depth
Auswahlmöglichkeiten: 4 level, 2 level, 3 level.
DRAM Command Rate
Legen Sie das Timing bei jedem Taktzyklus fest.
Auswahlmöglichkeiten: 1T Command, 2T Command, Auto.
Write Recovery Time
Auswahlmöglichkeiten: 2T , 3T.
DRAM tWTR
TWTR Timing
Auswahlmöglichkeiten: 1T , 3T.
DCLKI/DCLKO Timing
Auswahlmöglichkeiten: 0ns, 0.5ns, 1ns, 1.5ns, Auto.
Seite 4-10
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