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Dual CV 62 Serviceanleitung Seite 19

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"gar
Pos.
Art.—Nr.
Bezeichnung
Anzahl
R 542
224 058
Schicht—Widerstand
6,8 kQ/0,30 W/5 %
2
R 543
223 207
Schicht—Widerstand
330
Q/0,30 W/5 %
2
T 540
209 863
Transistor BC 173 C
2
T 541
216 042
Transistor BC 253 B
2
Zwischenverstärker V
150
233 991
Zwischenverstärkerplatte kpl.
1
C 560
216 664
Elyt—Kondensator
1
µF/ 35 V
2
C 561
216 406
Keramik—Kondensator
15
pF/500 0/10 %
2
C 562
216 405
Keramik —Kondensator
33
pF/500 0/10 %
2
C 563
216 667
Keramik —Kondensator
100
pF/100 0/10 %
2
C 564
222 219
Elyt—Kondensator
4,7 µF/ 25 V
2
3 560
231 566
Integrierte Schaltung 2748 DC
2
R 560
223 897
Schicht—Widerstand
100
k2/0,30 W/5 %
4
R 561
223 897
Schicht—Widerstand
100
k2/0,30 W/5 %
4
R 562
223 261
Schicht—Widerstand
15
k52/0,30 W/5 %
2
R 563
226 480
Schicht—Widerstand
680
Q/0,30 W/5 %
2
Treiberplatte VI
160
232 452
Treiberplatte kpl.
2
161
222 497
Antiwärmescheibe
1
C 800
222 213
Elyt—Kondensator
1
µF/ 50 V
1
C 801
223 221
Keramik—Kondensator
150
pF/500 V/10 %
1
C 802
220 265
Elyt—Kondensator
47
µF/ 16 V
2
C 803
216 667
Keramik —Kondensator
100
pF/100 0/10 %
1
C 804
217 862
Keramik —Kondensator
22
pF/500 V/10 %
1
C 805
220 265
Elyt—Kondensator
47
µF/ 16 V
2
D 800
223 906
Diode 1 N 4148
2
D 801
223 906
Diode 1 N 4148
2
R 800
223 211
Schicht—Widerstand
1,5 k2/0,30 W/5 %
2
R 801
223 212
Schicht—Widerstand
47
kQ/0,30 W/5 %
2
R 802
223 214
Schicht—Widerstand
2,7 k0/0,30 W/5 %
2
R 803
223 215
Schicht—Widerstand
22
kg2/0,30 W/5 %
1
R 804
229 952
Schicht—Widerstand
820
Q/0,30 W/5 %
1
R 8Q5
223 214
Schicht—Widerstand
2,7 kQ/0,30 W/5 %
2
R 806
223 212
Schicht—Widerstand
47
k2/0,30 W/5 %
2
R 807
223 219
Schicht—Widerstand
22
Q/0,30 W/5 %
1
R 808
223 211
Schicht—Widerstand
1,5 kQ/0,30 W/5 %
2
T 800
223 223
Transistor BC 207 B
2
T 801
223 223
Transistor BC 207 Ei
2
T 802
223 903
Transistor BC 161-10
1
Elektronische Sicherung VII
170
232 451
Elektronische Sicherung kpl.
2
C 820
216 389
Keramik —Kondensator
47 nF/50 V/
1
C 821
203 474
Keramik —Kondensator
680 pF/50 0/20 %
2
C 822
203 474
Keramik —Kondensator
680 pF/50 0/20 %
2
D 820
223 906
Diode 1 N 4148
4
D 821
223 906
Diode 1 N 4148
4
D 822
223 906
Diode 1 N 4148
4
D 823
223 906
Diode 1 N 4148
4
R 820
226 480
Schicht—Widerstand
680
Q/0,30 W/5 %
2
R 821
223 267
Schicht—Widerstand
12 kO/0,30 W/5 %
2
R 822
223 267
Schicht—Widerstand
12 k2/0,30 W/5 %
2
R 823
226 480
Schicht—Widerstand
680
2/0,30 W/5 %
2
T 820
220 609
Transistor BC 251 B
1
T 821
229 511
Transistor BC 172 B
1
Betriebsartenschalter
180
239 607
Betriebsartenschalterplatte kpl. mit Drehschalter
1
R 900
237 175
Draht—Widerstand
1
Q/7 W/10 %
2
R 901
237 174
Draht—Widerstand
5,1 Q/9 W/10 %
3
R 902
237 174
Draht—Widerstand
5,1 2/9 W/10 %
3
Steuerverstärkerplatte bis Geräte—Nr. 12439
70
239 864
Steuerverstärkerplatte kpl. mit Tastenaggregat
1
Bestückung wie Steuerverstärkerplatte 239 606
Änderungen vorbehalten!
19

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