SCA4-185Z-S
SCB4-185Z-S
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Techni sc he Daten
technical data
Allgemeine Daten
General data
Sensorprinzip
kapazitiv statisch-dynamisch
sensor principle
capacitive static-dynamic
Temperaturbereich
0°C....+55°C
temperature range
0°C....+55°C
Bemessungs-
300V
isolationsspannung
rated insulation voltage
300V
Verschmutzungsgrad
3
degree of fouling
3
Schutzart
IP69K, Stecker IP67
system of protection
IP68, plug IP67
Gehäusewerkstoff safecap Polycarbonat (PC)
material of case safecap
polycarbonate (PC)
Statische Entladung
8 kV EN 61 000-4-2
static discharge
8 kV EN 61 000-4-2
HF-Einstrahlung
10 V/m EN 61 000-4-3
high frequency beam
10 V/m EN 61 000-4-3
Schnelle Transienten
2 kV EN 61 000-4-4
rapid transient
2 kV EN 61 000-4-4
HF-leitungsgeführt
10 V EN 61 000-4-6
high frequency conduit
10 V EN 61 000-4-6
Funkentstörung Klasse
B EN 55 011
interference suppression class B EN 55 011
4
4
E i ng an g
Input
B et riebs s pannun g
operating voltage
Res t welligkei t
residual ripple
S t romau f nahme
drawing of current
S chal t f requen z
switching frequency
Tast ge s chwindigkei t
scanning speed
Au sg an g
output
K on t ak t bes t üc k ung
contact components
Relaisar t
relay type
Mindes t st rom
min. current rating
S chal t v ermögen
breaking capacity
Z uverläs s ig k ei t
operational reliability
100
63
44
24 V D C +/ - 10 %
24V DC +/- 10%
max . 10 %
max. 10%
< 65 mA
< 65 mA
1 Hz
1 Hz
> 50 mm / s
> 50 mm / s
1 Sc hlie ß er, 1Ö ff ne r
1 NO, 1 NC
P ho t oMO S -Relais , ele k t ronisc h
PhotoMos, electronic
> 10 mA pro Kon tak t
>10 mA / contact
200 mA / 24 V D C pro Kont ak t
200 mA / 24V DC / contact
Halblei t ernivea u
semiconductor level