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3. SPEZIFIKATIONEN
OSZILLOSKOP-SPEZIFIKATIONEN
Abtastrate
Analoge Bandbreite
Eingangswiderstand
Kopplung
Prüfspannungsbereich
Vertikale Empfindlichkeit
Horizontaler Zeitbereich
Trigger-Modi
Trigger-Typen
MESSBARE KOMPONENTEN
Trioden
h
> 10, h
< 600
FE
FE
Dioden
Durchlassspannungsabfall < 5 V
Zener Dioden
1-2-3 Testbereich: 0,01 - 4,5 V
K-A-A Testbereich: 0,01 - 24 V
Feldeffekttransistoren
JFET
IGBT
MOSFET
Silizium-Gleichrichter &
Thyristortrioden
Einschaltspannung < 5 V
Gate-Triggerstrom < 6 mA
Kondensatoren
25 pF - 100 mF
10 MS/s
0 - 500 kHz
1 MΩ
AC / DC
1:1: 80Vpp (-40 - 40 V) / 10:1: 800Vpp (-400 V - 400 V)
10 mV/Div - 10 V/Div
10 µs - 10s
Automatisch, Normal, Single
Fallende Flanke, Steigende Flanke
Verstärkungsfaktor (h
Kollektor-Emitter-Sperrstrom (I
Durchlassspannungsabfall der Schutzdiode (U
Durchlassspannungsabfall, Übergangskapazität,
Sperrstrom
1-2-3: Durchlassspannungsabfall, Durchlassspannung in
Sperrrichtung
K-A-A: Durchlassspannung in Sperrrichtung
JFET: Gate-Kapazität (C
Vorwärtsspannungsabfall der Schutzdiode (Uf),
IGBT: Drain-Strom (I
Schutzdiode (U
)
f
MOSFET: Einschaltspannung (V
Drain-Source Widerstand (R
der Schutzdiode (U
Gate-Spannung
Kapazität, Verlustfaktor (V
17
), Basis-Emitter-Spannung (U
FE
, I
CEO
CES
), Drain-Strom (I
g
at V
), Vorwärtsspannungsabfall der
d
gs
), Gate-Kapazität (C
t
), Vorwärtsspannungsabfall
ds
)
f
)
loss
),
be
),
)
f
at V
),
d
gs
),
g
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