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VEGA VEGABAR 81 Betriebsanleitung Seite 76

Druckmessumformer mit druckmittler
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11 Anhang
Abweichung am Stromausgang durch
starke, hochfrequente elektromagneti-
sche Felder im Rahmen der EN 61326
Messabweichung (nach IEC 60770)
Gilt für den digitalen Signalausgang (HART, Profibus PA, Foundation Fieldbus) sowie den analo-
gen 4 ... 20 mA-Stromausgang und bezieht sich auf die eingestellte Messspanne. Turn down (TD)
ist das Verhältnis Nennmessbereich/eingestellte Messspanne.
Genauigkeitsklasse
0,2 %
Einfluss der Medium- bzw. Umgebungstemperatur
Thermische Änderung Nullsignal und Ausgangsspanne durch Mediumtemperatur
Gilt für den digitalen Signalausgang (HART, Profibus PA, Foundation Fieldbus) sowie den analo-
gen 4 ... 20 mA-Stromausgang und bezieht sich auf die eingestellte Messspanne. Turn down (TD)
ist das Verhältnis Nennmessbereich/eingestellte Messspanne.
Mittlerer Temperaturkoeffizient
Nullsignal
Turn down 1 : 1
Turn down 1 : 1 bis 5 : 1
Turn down bis 10 : 1
Thermische Änderung Stromausgang durch Umgebungstemperatur
Gilt zusätzlich für den analogen 4 ... 20 mA-Stromausgang und bezieht sich auf die eingestellte
Messspanne.
Thermische Änderung Stromausgang
Abb. 48: Thermische Änderung Stromausgang
Zusätzlicher Temperatureinfluss durch Druckmittler
Die Angaben beziehen sich auf Membranwerkstoff 316L sowie Druckmittlerflüssigkeit Silikonöl.
Sie dienen nur zur Abschätzung. Die tatsächlichen Werte hängen von Durchmesser, Werkstoff und
Stärke der Membran sowie von der Druckmittlerflüssigkeit ab. Sie stehen auf Anfrage zur Verfü-
gung.
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Nichtlinearität, Hysterese und
Nichtwiederholbarkeit bei TD
1 : 1 bis 5 : 1
< 0,2 %
Im kompensierten Tempe-
raturbereich 10 ... +70 °C
(+50 ... +158 °F)
< 0,05 %/10 K
< 0,1 %/10 K
< 0,15 %/10 K
0,3 %
0,15 %
-40°C
-20°C
-0,15 %
-0,3 %
< ±150 µA
< 0,05 %/10 K, max. < 0,15 %, jeweils bei -40 ... +80 °C
(-40 ... +176 °F)
40°C
60°C
20°C
Nichtlinearität, Hysterese und
Nichtwiederholbarkeit bei TD
> 5 : 1
< 0,04 % x TD
Außerhalb des kompensierten
Temperaturbereichs
typ. < 0,05 %/10 K
-
-
80°C
VEGABAR 81 • 4 ... 20 mA/HART

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